Jednou z nejdůležitějších elektronických součástek moderní doby je integrovaný obvod. Tvoří jej miniaturní destička obsahující množství jednoduchých elektronických součástek vytvářejících elektrický obvod určený pro konkrétní funkce.

S prvním integrovaným obvodem na světě přišli již v roce 1958 americký technik a elektroinženýr Jack St.

Clair Kilby (1923 – 2005) ze společnosti Texas Instruments a shodou okolností v tomtéž roce nezávisle na něm i další americký elektrotechnik Robert Noyce (1927 – 1990) ze firmy Fairchild Semiconductor.

První integrovaný obvod se skládal z germaniové destičky o rozměrech 11 x 1,6 mm, na které byl umístěn pouhý jeden tranzistor spolu s několika pasivními součástkami.

Na počátku je písek

Dnešní integrované obvody jsou samozřejmě mnohem složitější a ukrývají v sobě tisíce součástek. Při výrobě čipu schopného pojmout velké množství informací se využívají nanotechnologie.

Díky tomu lze dojít ke stavu, že součástky jsou několikatisíckrát tenčí než lidský vlas.

Oxid křemičitý se roztaví a díky speciálním čisticím postupům se dosáhne takřka ryzí čistosti křemíku. Podle odborníků se na 1 miliardu atomu křemíků vyskytuje 1 cizí atom. Křemíkový ingot je pak „nakrájen“ do plátků o tloušťce cca 300 mikrometrů.

Po vyleštění je na něj nanesena speciální látka většinou obsahující líh, která je schopna odolat následnému leptání plochy. Leptání se často opakuje, protože struktura může být vícevrstvá.

Pozor křehké a ještě křehčí!

Plocha waferů se liší podle průměru ingotu a pohybuje se od 25,4 mm do 450 mm. Ty nejmenší mohou posloužit k výrobě jednoho procesoru, zatímco z waferu o průměru 300 mm se jich dají vyrobit řádově desítky.

I v tomto případě platí ekonomické pravidlo, čím větší wafer, tím nižší cena konečného čipu. Okolo roku 2000, kdy většina výrobců přešla z 200 mm na 300 mm, se cena čipů snížila až o 40 %.

Na druhou stranu platí, že čím větší plocha waferu je, tím je složitější i manipulace s ním, zvláště s ohledem na jejich křehkost.